ডাইরেক্ট বন্ডেড কপার (DBC) একটি সিরামিক সারফেস মেটালাইজেশন প্রযুক্তি। এটি সরাসরি সিরামিক (Al₂O₃, BeO, AlN, ইত্যাদি) একটি তামার স্তরের সাথে আবদ্ধ করে। ডিবিসি ব্যাপকভাবে অক্সাইড সিরামিক, বিশেষ করে অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড সাবস্ট্রেট, পাওয়ার ইলেকট্রনিক মডিউল, সেমিকন্ডাক্টর কুলিং এবং এলইডি ডিভাইস প্যাকেজিং-এ ধাতবকরণের জন্য ব্যবহৃত হয়। এর প্রধান উদ্দেশ্য হল ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ থেকে তাপ অপচয় উন্নত করা।
প্রযুক্তিগত নীতি
তামার শীটগুলি Al₂O₃ সাবস্ট্রেটে স্থাপন করা হয় এবং 1066-1083 ডিগ্রীতে অক্সিজেন{0}}যুক্ত বায়ুমণ্ডলে উত্তপ্ত করা হয়। এই প্রক্রিয়াটি তামাকে সরাসরি আল₂O₃ এর সাথে সংযুক্ত করে। প্রক্রিয়াটি সাধারণত নিম্নরূপ বর্ণনা করা হয়: গুলি চালানোর সময়, একটি নিয়ন্ত্রিত অক্সিজেন স্তর তামাকে তামার গলনাঙ্কের (1083 ডিগ্রি) নীচে Al₂O₃ এর সাথে বন্ধনে সক্ষম করে।
1066-1083 ডিগ্রির মধ্যে, তামা এবং অক্সিজেন একটি Cu-O eutectic গঠন করে। ইউটেটিক তামার ফয়েল এবং Al₂O₃ এর যোগাযোগকারী পৃষ্ঠগুলিকে ভিজিয়ে দেয় এবং Al₂O₃ এর সাথে বিক্রিয়া করে Cu(AlO₂) এর মতো যৌগিক অক্সাইড তৈরি করে, দুটি উপাদানকে দৃঢ়ভাবে বন্ধন করার জন্য সোল্ডার হিসেবে কাজ করে।
অক্সাইড সিরামিক যেমন AlN, কিউ-এর জন্য অক্সাইড সিরামিক খারাপভাবে ভিজে যায়। একটি পাতলা Al₂O₃ ট্রানজিশন স্তর প্রথমে AlN পৃষ্ঠে তৈরি করতে হবে, তারপর Al₂O₃ স্তরের মাধ্যমে তামার সাথে আবদ্ধ হতে হবে, যা Al₂O₃-DBC বা AlN-DBC তৈরি করে। প্রস্তুতির প্রক্রিয়াটি চিত্রে দেখানো হয়েছে। ফলস্বরূপ ডিবিসি সাবস্ট্রেটগুলি পছন্দসই নিদর্শনগুলি পেতে খোদাই করা যেতে পারে।
সাম্প্রতিক বছরগুলিতে, ডিবিসি প্রযুক্তি দ্রুত বিকশিত হয়েছে। DBC সাবস্ট্রেটগুলি এখন যান্ত্রিক শক্তির ব্যাপক উন্নতি করেছে এবং মাল্টি-চিপ পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর অ্যাসেম্বলির জন্য একটি খরচ-কার্যকর উপাদান প্রদান করে।
ডিবিসি সাবস্ট্রেটের লেজার প্রক্রিয়াকরণ মূলধারার পদ্ধতি হয়ে উঠেছে। YCLASER গ্লোবাল ক্লায়েন্টদের জন্য বিনামূল্যে নমুনা পরীক্ষা এবং ছোট-ব্যাচ চুক্তি প্রক্রিয়াকরণ পরিষেবা অফার করে৷
